12 февраля, 2018 
adminGWP 
Кaк сooбщaют oтрaслeвыe истoчники, кoмпaния SK Hynix нa свoём южнoкoрeйскoм прeдприятии M12 в Чxoнджу приступилa к сeрийнoму выпуску мнoгoслoйнoй (трёxмeрнoй) флeш-пaмяти чeтвёртoгo поколения. Такая NAND-память наделена 72-слойным дизайном и была анонсирована три месяца назад. Теперь же выход годных кристаллов достиг приемлемой для массового производства величины, и образцы продукции начали рассылаться ключевым потребителям. В ближайшей перспективе 72-слойная память также должна начать изготавливаться и на втором предприятии SK Hynix — на заводе M14 в Ичхоне. Это позволит компании существенно нарастить объёмы поставок трёхмерной флеш-памяти, которые обгонят поставки планарной памяти уже к концу текущего года.
Стоит отметить, что за последние месяцы SK Hynix совершила существенный рывок в освоении технологий 3D NAND. Так, 48-слойная память прошлого поколения появилась у компании только в ноябре 2016 года, однако её качество не позволяло начать внедрение таких чипов в твердотельные накопители. С тех пор прошло всего полгода, но SK Hynix смогла не только в полтора раза нарастить плотность кристаллов, но и добилась заметного улучшения выносливости и скоростных характеристик. В частности, сделанная в четвёртом поколении 3D NAND оптимизация логической схемы чипов удвоила скорость внутренних операций и на 20 % подняла пропускную способность интерфейса.
В результате, новая 72-слойная 3D TLC NAND компании теперь может применяться в том числе и в твердотельных накопителях. Как ожидается, конечные продукты на её основе станут доступны к концу текущего года. Причём, скорее всего, это будут какие-то оригинальные решения, ведь благодаря приобретению в 2012 году независимого разработчика контроллеров Link_A_Media Devices (LAMD) компания SK Hynix, как и Samsung, получила всё необходимое для выпуска SSD исключительно из собственных компонентов.
Впрочем, догнать и отчасти перегнать конкурентов не только по наращиванию числа слоёв 3D NAND, но и в деле увеличения ёмкости кристаллов, SK Hynix пока не удаётся. 72-слойные устройства 3D TLC NAND компании имеют объём 256 Гбит, в то время как современная 64-слойная 3D TLC NAND авторства IMFT, Toshiba, WD или Samsung производится в виде 512-гигабитных кристаллов.
Доля SK Hynix на рынке NAND составляет в настоящее время 11,4 %.
Источник:
Опубликовано в рубрике