Oбсуждaя кaрдинaльныe пeрeмeны в стрaтeгии Intel и нaмeрeниe вeрнуться к стрaтeгии «тик-тaк» с двуxлeтним циклoм чeрeдoвaния нoвыx aрxитeктур и тexнoлoгичeскиx норм, мы задавались вопросом — как «синие» будут определять проектные нормы и продвигать свои нанометры литографические технологии. И вот сейчас появилась информация, что Intel может выйти из неловкого положения аутсайдера весьма «изящным» способом — путем ребрендинга. Издание Oregon Live со ссылкой на сотрудников Intel заявляет о планах руководства изменить подход к обозначению литографических технологий.
На сегодняшний день наиболее передовым техпроцессом, освоенным TSMC и Samsung в серийном производстве, является 5-нанометровый. Важно оговорить, что технологии Samsung 5LPP и TSMC N5 — разные и не совместимы между собой, хотя и обе основаны на литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Ожидается, что в следующем году Samsung начнет серийный выпуск 3-нанометровой продукции, а TSMC приступит к массовому производству 4-нанометровых кристаллов (N4) в четвертом квартале 2021 года. В то же время Intel только освоила технологию 10-нм SuperFin и планирует освоить следующий узел 7-нм только в 2023 году. К этому времени TSMC уже должна перейти на технологию 3 нм+. Для устранения разрыва в нанометрах Intel может изменить подход к обозначению своих технологий.
«В отрасли общеизвестным является тот факт, что в нанометровой номенклатуре существует непоследовательность и путаница, и она не отображает последних достижений на уровне транзисторов».
из комментария представителя Intel Челси Хьюз сайту Oregon Live
Важно оговорить, что пока это неофициальная информация, поэтому относиться к ней стоит с долей сомнения. Но здесь невольно вспоминается, как в 2017 году Intel утверждала, что их 10-нанометровый техпроцесс на целое поколение опережает 10-нанометровые технологии конкурентов, призывая последних покончить с дутыми наномерами. Так что в целом этот сценарий с ребрендингом представляется достаточно правдоподобным.