3 августа, 2016 
adminGWP Eщe в 2005 гoду, прoфeссoр физики Йoxaн Aкeрмaн (Йoxaн Aкeрмaн) прeдскaзaл, чтo, мaгнитoрeзистивнoй пaмяти (Мaгнитoрeзистивнoй пaмяти с прoизвoльным дoступoм, пaмять) являeтся oдним из oснoвныx кaндидaтoв нa рoль «унивeрсaльнoй пaмяти», которая станет заменой разных видов памяти, которые могут быть найдены рядом друг с другом в схемах современных электронных устройств. Команда исследователей из Национального университета Сингапура (Национальный университет Сингапура nus) и университета науки и технологии короля Абдуллы (короля Абдаллы университета науки и технологий, открытии), Саудовской Аравии, разработала новый типа mram-памяти, которая может воплотить в реальность предвидение профессора Аккермана.
В настоящее время многие электронные устройства, используемые статической памяти (статическая память с произвольным доступом, ОЗУ), оперативной памяти (динамическая память с произвольным доступом, ОЗУ) и флэш-памяти, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. ОЗУ быстро, но очень дорого для производства. Кроме того, SRAM памяти «забывает», что после выключения устройства. Драм дешевле в изготовлении, он имеет гораздо больше функций, но он должен регулярно обновляться и она все «забывают» после выключения питания устройства. Флэш-память является энергонезависимой памятью, но это дорого для того чтобы изготовить и процесс записи данных в такой памяти требуется много времени.
Технология памяти память которая сочетает в себе все положительные качества в памяти всех выше перечисленных типов. Следующее поколение технологии позволяют создавать микросхемы памяти mram с очень высокой плотностью и очень низким показателем количества используемой энергии. Несмотря на то, что разработка mram-памяти ведется с 1990-х годов, постоянно совершенствования технологии DRAM и флэш-память хранятся mram-памяти за пределами игрового поля.
В существующей технологии ОПИМ-памяти данные хранятся в магнитных ячейках, образованных между двух ферромагнитных пластин, разделенных тонким слоем изоляционного материала. К сожалению, надежность такой памяти крайне низком уровне и именно из-за этих пластин с толщиной около одного нанометра, очень трудно производить с учетом всех требований к точности. Наличие дефектов, в свою очередь, является причиной того, что существующие памяти память может хранить данные не более чем на один год, а на время.
Исследовательская группа нашла способ заменить тонкие ферромагнитные пластины альтернативные многослойную структуру, толщина которой составляет 20 нм. При этом размер этого элемента можно обеспечить соблюдение точности изготовления и данные записываются в память сотового, новую память, может храниться в течение как минимум 20 лет, что делает этот тип памяти подходит для использования в электронике потребителей.
«Использование mram-памяти поможет нам избавиться от бремени наших компьютеров и смартфонов», — говорит доктор Ян Джунсу (д-р Ян Hyunsoo, который возглавляет исследовательскую группу — «Количество доступной памяти для хранения данных будет расти, и вам не придется постоянно нажимать кнопку «Сохранить», потому что данные не будут потеряны даже при неожиданном отключении электричества».
Ученые считают, что их прорыв идеальным может в корне изменить архитектурой существующих компьютеров и микропроцессорных систем, чтобы сделать их дешевле в производстве. Это, также, понимают и производители полупроводниковых микросхем, некоторые из которых проявили большой интерес к новой технологии mram-памяти, которой в настоящее время выдан патент. И в ближайшее время исследователи совместно с промышленными партнерами намерены создать первые опытные образцы ячеек памяти, которые будут производиться по новой технологии.
Опубликовано в рубрике