7 июня, 2016 
adminGWP Память на основе фазового перехода (изменение фазы памяти (РСМ) — это понятие известно в течение некоторого времени. Но до сих пор этот тип памяти осталась только концепция, широкое применение которых сдерживается нестабильностью и ненадежностью считывание информации во время длительного хранения данных. Теперь, исследователи из подразделения компании IBM в Цюрихе, Швейцария, работая совместно со своими американскими коллегами, оказался нового типа РСМ-памяти, которая обеспечивает надежное хранение в те же ячейки памяти несколько бит информации. Этот прорыв в области хранения информации может стать началом конца традиционной флэш-памяти в настоящее время используется практически везде, начиная от мобильных устройств к устройствам хранения данных в облачных вычислительных систем.
Как флэш-память, память PCM не один. Но, использование системы управления проектным циклом память имеет большое количество существенных преимуществ, это может помочь в целях повышения эффективности компьютерных систем. Компьютеры могут быть приняты практически незамедлительно, в любое время, без потери энергии и времени загрузки операционной системы.
Но, управление-памяти проектного цикла — Крепкий орешек, который не так просто расколоть. Работу этот тип памяти основан на изменении величины электрического сопротивления материала, который меняет свою фазу от кристаллической к аморфной формы при воздействии высокой температуры. Кристаллическая форма материала имеет наименьшее сопротивление, в то время как аморфные является наибольшей.
Диапазон, в котором вы можете изменять сопротивление материала, позволяет хранить в одной ячейке более одного бита памяти, поэтому он может быть огромный прирост производительности, новый тип памяти и, возможно, сократить количество потребляемой энергии на бит хранимой информации. В IBM, которая мы расскажем Вам, ученым удалось сохранить значения «00», «01», «10» и «11» разделу диапазона сопротивления на четыре равные части.
Проблема для разработчиков перед памяти PCM является дрейф сопротивления материала в аморфном состоянии, который долго может произойти потеря или искажение данных. Некоторые исследователи пытались обойти эту проблему с помощью многократной перезаписи значений производится автоматически после определенного периода времени, но требует дополнительных ресурсов компьютера, вызывает замедление в работе памяти и приводит к увеличению потребления энергии. Ученые IBM разработали новые процессы чтения и письма для получения информации об управлении памяти кодирование информации таким образом, что временной дрейф сопротивления перестает играть значительную роль. Благодаря этой новой памяти РСМ способна надежно хранить данные в течение довольно длительного времени, вызывает возможность практического применения нового типа памяти.
Исследования, которые привели к разработке нового типа памяти РСМ, ученые продолжают в течение нескольких лет. И последние пять месяцев были потрачены на то, что проверит достоверность информации для хранения в памяти нового типа, в форме экспериментального чипа, объем 200 тыс. ячеек, изготовленных в 90-нм КМОП-технологии. И как показали результаты, IBM имеет в руках технология, которая со временем может стать убийцей флэш-памяти. Но разработчики этой технологии считают, что первые устройства, использующие память ПКМ нового типа могут появиться в 2016 году.
Опубликовано в рубрике