24 августа, 2022 
adminGWP 
МOСКВA, 24 aвг – РИA Нoвoсти. Учeныe СГУ рaзрaбoтaли нoвыe мoдeли двумeрныx гибридныx мaтeриaлoв на сoздaния высoкoтoчныx дeтeктoрoв УФ-излучeния длитeльнoй эксплуaтaции. Сии дeтeктoры мoгут испoльзoвaться к aнaлизa биoлoгичeскиx и xимичeскиx вeщeств, мoнитoрингa oкружaющeй срeды, астрономических исследований, а тоже организации закрытой подписка между искусственными спутниками. Результаты исследования опубликованы в журнале Materials.До словам сотрудников Саратовского национального исследовательского государственного университета (СГУ) имени Н.Г. Чернышевского, днесь для конструирования электронных устройств с заданными характеристиками, в частности, полевых транзисторов и фотодиодов, успешно применяется скрещение 2D материалов атомарной толщины с различным типом проводимости (хлеб индустрии, полупроводник, диэлектрик) в виде ван-дер-ваальсовых гетероструктур.Ван-дер-ваальсовые вертикальные гетероструктуры представляют внешне гибридные материалы, составленные с чередующихся слоев различных кристаллов так ж деталям конструктора Lego. Пласты в составе таких гетероструктур удерживаются в один голос силами ван-дер-Ваальса (силы межатомного взаимодействия).Ученые СГУ исследовали запас реализации контакта хлеб индустрии-полупроводник на базе новых конфигураций ван-дер-Ваальсовых гетероструктур, образованных 2D-монослоем борофена с металлической проводимостью в сочетании с графеноподобными полупроводниковыми монослоями нитридом галлия (GaN) и оксидом цинка (ZnO).Они построили атомные модели новых ван-дер-Ваальсовых гетероструктур и спрогнозировали их структурные, электронные и электрические свойства с через методов компьютерного моделирования.По части его словам, возьми основе предлагаемых ван-дер-ваальсовых гетероструктур в перспективе могут присутствовать разработаны новые типы полевых вертикальных транзисторов с барьером Шоттки (вероятный барьер, появляющийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом) и высокоточные детекторы УФ-излучения.Такие детекторы востребованы вот многих прикладных сферах, так, для проведения спектрального анализа биологических и химических веществ, мониторинга окружающей среды, астрономических исследований, а опять же организации закрытой взаимоотношения между искусственными спутниками.Утилизация предлагаемых конфигураций ван-дер-Ваальсовых гетероструктур, в области мнению исследователей, позволит заручиться требуемые токовые характеристики устройств и оставить их структурную делимость при длительном режиме эксплуатации.Достижения разработки, по словам ученых, заключаются в больше высоких, по сравнению с аналогами, значениях тока. Значения тока около одних и тех а напряжениях в разработанных учеными СГУ гетероструктурах борофен/GaN и борофен/ZnO, используемых в качестве контакта Шоттки, измеряются десятками микроампер, в ведь время как в уж известных ван-дер-ваальсовых гетероструктурах, так борофен/MoS2, не превышают нескольких наноампер.Окр того, по словам исследователей, используемая в других работах гетероструктура борофен/MoS2 в области энергии связи уступает разработанной учеными СГУ гетероструктуре борофен/GaN в двушник раза, а гетероструктуре борофен/ZnO – в три раза.Чтоб эффективно применять новые гетероструктуры в устройствах нано- и оптоэлектроники, ученые планируют разоблачить оптимальные способы настройки их ключевых электрофизических параметров, которые разрешено реализовать в практическом эксперименте.Канализирование, в рамках которого проводится данное испытание, входит в стратегический схема Саратовского государственного университета «Инфокоммуникационные технологии и элементная станция терагерцовой микро- и наноэлектроники («Ударение – Электроника»)» программы «Преимущество-2030».
Опубликовано в рубрике